ITO本质是铟锡氧化物（Indium Tin Oxide）的简称，核心是由氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）按特定比例（通常In₂O₃占90%~95%、SnO₂占5%~10%）混合形成的半导体陶瓷材料，兼具高透光性和高导电性两大核心特性，是连接光学与电学功能的关键媒介。它是一种n型透明导电氧化物（TCO），属于铟氧化物的固溶体，其薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，锡（Sn⁴⁺）取代部分In³⁺，向导带提供额外电子，使材料呈现高导电性同时保持可见光区的高透光率